TSM8N80CI C0G
Número de Producto del Fabricante:

TSM8N80CI C0G

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM8N80CI C0G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB

Inventario:

995 Pcs Nuevos Originales En Stock
12895728
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TSM8N80CI C0G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1921 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
TSM8N80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
-2068-TSM8N80CIC0GDKR
-2068-TSM8N80CIC0G
TSM8N80CI C0G-DG
TSM8N80CIC0G
-2068-TSM8N80CIC0GDKR-DG
-2068-TSM8N80CIC0GDKRINACTIVE

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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